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Silicon Phototransistor
OP570 Series
OP573
OP571
DIMENSIONS ARE IN:
[MILLIMETERS]
INCHES
TOLERANCE IS ± .0039 [0.1]
OP570
OP572
2
1
Pin #
1
2
Transistor
Collector
Emitter
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue 1.2 02/07
Page 2 of 4
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
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相关代理商/技术参数
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OP579/A,025 功能描述:MOSFET OP579/UNCASED/JAR//A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
OP580 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
OP580 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:Phototransistor
OP580/ABD,029 功能描述:MOSFET OP580/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
OP580DA 功能描述:光电晶体管 Photo Darlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
OP581/ABD,029 功能描述:MOSFET OP581/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
OP582/ABD,029 功能描述:MOSFET OP582/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube